Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 200GAR173D

Модуль транзисторный IGBT SEMIKRON SKM 200GAR173D Производитель SEMIKRON Тип IGBT Верхний чоппер Номинальное напряжение 1,7кВ Номинальный ток коллектора 200А Корпус SEMITRANS3 Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер.
Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 200GAR173D

Код М0000106

Модуль транзисторный IGBT SEMIKRON SKM 200GAR173D Производитель SEMIKRON Тип IGBT Верхний чоппер Номинальное напряжение 1,7кВ Номинальный ток коллектора 200А Корпус SEMITRANS3 Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер.
Единицы измерения: шт
Количество на складе: 49

Цена с НДС: 7 700 pуб./шт

Яндекс.Метрика

Московская область, г. Мытищи
Телефон: +7 (495) 135 08 55
E-mail: zakaz@elektronservice.ru