Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 200GB173D

Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 200GB173D Производитель SEMIKRON Тип IGBT Полумост транзисторный Номинальное напряжение 1700В Номинальный ток коллектора 150А Корпус SEMITRANS2 Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер. Аналоги: TOSHIBA MG120V2YS40 EUPEC BSM150GB170DLC

Код П0009737

Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 200GB173D Производитель SEMIKRON Тип IGBT Полумост транзисторный Номинальное напряжение 1700В Номинальный ток коллектора 150А Корпус SEMITRANS2 Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер. Аналоги: TOSHIBA MG120V2YS40 EUPEC BSM150GB170DLC
Единицы измерения: шт
Количество на складе: 40

Цена с НДС: 9 750 pуб./шт

Яндекс.Метрика

Московская область, г. Мытищи
Телефон: +7 (495) 135 08 55
E-mail: zakaz@elektronservice.ru